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產(chǎn)品與服務(wù)

Products and Services

  • 無(wú)源/有源 MPW 流片服務(wù)

  • 國(guó)內(nèi)首個(gè)完整硅光流片能力平臺(tái)

  • 定制化流片服務(wù)

  • 流片計(jì)劃

無(wú)源/有源 MPW 流片服務(wù)

微電子所硅光平臺(tái)每年可對(duì)外提供 6-8 次基于 8 英寸 SOI 襯底 130nm工藝節(jié)點(diǎn)的MPW流片服務(wù),工藝模塊包括220 nm/150 nm/70 nm 等深度的無(wú)源器件刻蝕工藝、高速調(diào)制器摻雜工藝、TiN 加熱器工藝、 鍺探測(cè)器外延工藝、硅和鍺的歐姆接觸及金屬互連工藝等。

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國(guó)內(nèi)首個(gè)完整硅光流片能力平臺(tái)

面向后摩爾時(shí)代微電子與光電子的發(fā)展需求,中國(guó)科學(xué)院微電子所基于 8 英寸 CMOS 工藝線(xiàn)開(kāi)發(fā)國(guó)內(nèi)首個(gè)具有完整硅光工藝流片能力的 8 英寸硅光 平臺(tái)。

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定制化流片服務(wù)

針對(duì)硅光技術(shù)研發(fā)中材料和工藝的多樣性,平臺(tái)開(kāi)發(fā)了基于厚硅 SOI、 石英襯底、SiN 材料的多種工藝模塊,可為客戶(hù)提供靈活的定制化技術(shù)服 務(wù)。

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流片計(jì)劃

2023 年第 4 季度及 2024 年有關(guān) 220nm 頂硅 SOI 有源/無(wú)源 MPW、200nm 氮化 硅 MPW 流片計(jì)劃如下圖所示;石英及厚硅 SOI 等工藝采用定制化流片方式,工 藝方案通過(guò)技術(shù)評(píng)審后即可簽訂合作。

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